TC设备-温度冲击试验箱概述

1.近年来随着我国半导体制造业的不断壮大，对IC芯片的制备工艺及品质要求更加精密，同步配套的TC设备逐渐国产化，在此机会下，东莞中科测试设备有限公司研制出与100万级无尘车间制备工艺匹配的可靠性试验设备（温度冲击试验箱）。

2.温度冲击试验箱应用模拟*温和极低温的气候环境对半导体元器件进行冷热交替膨胀和收缩所引起的化学变化或物理伤害，使其产生热应力及应变。主要应用在IC封装抗温度冲击测试，避免芯片在使用过程中受到环境应力的考验时而导致失效，对于提高出货良率与制备工艺有显著效果。

3.控制系统：中英文菜单式人机对话操作方式，有开机自检功能、温度线性校正、自动停机、系统预约定时启动功能；实现工业自动化，带数据交互功能，能与客户主机链接实现远程监控，了解设备与试验运行状态，可以通过任何移动终端监控。 

TC设备-温度冲击试验箱技术新能

1.温度冲击范围：-40℃～+150℃；-55℃～+150℃；-65℃～+150℃。（高温可定制：+250℃）

2.高低温区温度范围：

A.高温蓄能区：室温～+155℃。（定制性：室温～+215℃）

B.低温蓄能区：室温～-55℃；室温～-70℃；室温～-80℃。

3.测试区温度范围：

A.高温冲击温度范围：+50℃～+150℃。（定制型：+50℃～+200℃）

B.低温冲击温度范围：-10℃～-40℃；-10℃～-55℃；-10℃～-65℃。

C.温度波动度：±0.5℃。

D.温度均匀度：±2.0℃。

4.高低温测试区温度恢复和转换时间：≤5分钟。（可定制温变速率为：10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，线性与非线性温变）

5.试验测试温度范围：-40℃～+85℃；-40℃～+120℃；-55℃～+125℃。（可根据试验要求选择温度范围）

6.试验测试方式：高低温冲击试验、冷热冲击试验、高低温恒定试验、高低温交变冲击试验。

7.试品重量：8 KG（可订制其他规格）。

8.使用电源：AC3∮5W 380V±10% ；50HZ。

9.重量约：480KG。

10.在无试验负荷、无层架情况下稳定20分钟后测定的性能。

11.温度均匀度定义为：实验机几何中心点处（计量单位空间9点测温法）。

12.设备制造标准：GB/T10586-2006，GB/T10592-1989。

13.设备检定标准：GB/T5170.2-1996，GB/T5170.5-1996。

14.设备的型号和规格选择如下：

 型 号          内箱尺寸（mm）        外箱尺寸（mm）

ZK-TS -80L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-120L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-150L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-225L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-408L       W600×H850×D800      W900×H1980×D1550

ZK-TS-800L       W800×H1000×D1000     W1100×H2150×D1650

ZK-TS-1000L      W1000×H1000×D1000    W1300×H2150×D1650

可按需求尺寸非标定制......

温度冲击试验箱测试执行与满足标准

1.GB/T2423.1-2001低温试验方法。

2.QC/T17-92汽车零部件耐候性试验一般规则。

3.满足标准IEC68-2-14_试验方法N_温度变化。

4.SJ/T10186-91Y73系列温度变化试验箱——二箱式。

5.SJ/T10187-91Y73系列温度变化试验箱——一箱式。

6.GB/T2423.2-2001；GB/T2423.22-1989温度变化试验N。

7.GJB150.3-86；GJB150.4-86；GJB150.5-86温度冲击试验。

8.GJB360.7-87温度冲击试验；GJB367.2-87 405温度冲击试验。

9.EIA 364-32热冲击（温度循环）测试程序的电连接器和插座的环境影响评估。

10.GB/T 2424.13-2002试验方法温度变化试验导则；GB/T 2423.22-2002温度变化。