半导体晶圆厚度测量设备

半导体晶圆厚度测量设备

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-09-24 10:49:47
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产品属性
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武汉华工激光工程有限责任公司

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产品简介

面向半导体产业链上游的原材料生产企业，采用独立开发的光谱共焦测量系统，对半导体原片、外延片的尺寸和平面度进行检测。 重复精度 ±0 . 1 μm 检测厚度 ± 1 mm 整机尺寸（mm） 1800*1300*2250

详细介绍

产品优势
  • 01
    适用范围广

    用于各种材质各种抛光状态的4—8英寸原片、衬底及外延片


  • 02
    测量精度高

    厚度范围:0—1mm 测量精度:士1μm 重复精度:0.2μm 


  • 03
    测量时间短

    测量时间:30s/pcs(依据客户检测轨迹) 


技术参数
项目主要技术参数
常规参数Wafer尺寸4" , 6"
料盒数量双层，  14 pcs
上下料方式机械手，  Mapping扫描
运动平台X行程150mm，
Y行程150mm，		重复精度 ±0 . 1 μm
重复精度 ±0 . 1 μm
产能4" , 240WPH     6" ,  220WPH
检测性能检测功能晶圆（贴膜晶圆）厚度、TTV、翘曲度
厚度测试精度±0 .5 μm，  重复性：  0 . 1 μm（连续测试25片，  每片测试5点 ）
厚度范围± 1 mm
TTV测试精度±0 .5 um，  重复性：  0 .2 μm
翘曲度测试精度± 2 μm，  测试范围：   ± 600μm，  重复性：  1 μm
使用环境供电规格AC220V,50Hz
气源要求0.5-0.7Mpa压缩空气，无明显水汽和油脂
设备重量温度15-40℃。湿度要求30%-70%，无凝霜
整机尺寸1800mm*1300mm*2250mm


样品展示
样品1
样品2
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提示

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