HMDS烘箱原理，2-12寸晶圆预处理烘箱的原理：

  JS-HMDS烘箱箱通过对烘箱 HMDS 预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数的编辑，可以在硅片、基片表面均匀涂布一层 HMDS，降低了 HMDS 处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量， 提高光刻胶与硅片的黏附性。

HMDS烘箱原理，2-12寸晶圆预处理烘箱的一般工作流程：

    首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某 一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充 入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入 HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入 HMDS 药液，进入保持阶段，使硅片充分与 HMDS 反应。当达到设定的保 持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS 与硅片反应机理如图：首先加热到 100℃ -200℃，去除硅片表面的水分，然后 HMDS 与表面的 OH 一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使 极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(*基硅烷基较大)阻止其进一步反应。

尾气排放等：多余的 HMDS 蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到废气收集管道。在无废气收集 管道时需做专门处理。

⑴ 产品出厂前都经过严格的测试，一般不要进行修正，如使用时的环境恶劣，环境温度超出适宜范围，会引 起温度显示值与箱内实际温度误差，如超出技术指标范围的，可以修正，具体步骤参照温度控制器操作说明按所需进行修正。

⑵ 仪器在正常工作状态下，如打开箱门时间过长，关上箱门后暂时箱内温度有些变动，这是正常现象。

的用途

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻 的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟 基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会 侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀 容易发生侧向腐蚀。增黏剂 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将 HMDS 涂到硅片 表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水， 其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。