产品特性
1. 系统含有两个腔体: 真空腔和沉积反应腔。有效地防止温度和真空度的泄漏,保持稳定的沉积反应条件,成膜均一细致无漏点。这是其他只有单一腔体设备所不能达到的。沉积腔与真空腔分开，沉积腔嵌入真空腔，形成一种保护套设备，可有效地防止沉积反应过程中沉积腔内的温度和化学气体泄漏，从而保证沉积腔内的体系稳定，不会有二次的化学反应。保证成膜效果和不损伤设备。真空腔一般会用密封胶圈密封，沉积腔处于高温、真空腔处于室温，所以密封胶圈在室温下寿命长、密封效果好，真空腔的真空度不会泄漏，从而保证成膜质量。如果沉积腔与真空腔共用一个腔体，密封胶圈在高温下使用，寿命短，时间一长密封效果不好，真空度会泄漏，从而成膜质量下降。

2. 前躯体化学品在反应腔中流动方向类似花伞喷射,垂直沉积于基体上,快速稳定,有别于横流式沉积系统。*的顶端流动(showerhead)沉积模式比传统的横向流动沉积模式在成膜效果（尤其对多孔，表面积大的粉体或不规则材料）、沉积时间、自动控制等方面都有很显著的提高。

3. 可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜。可生成*的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层。前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜，不需要控制反应物流量的均一性。可以沉积多组分纳米薄层和混合氧化物。

4．可广泛适用于各种形状的衬底。原子层沉积生长的金属氧化物薄膜用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，而生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。

5. 前驱体源装置稳定可靠，可以用20年，并不是简单的源瓶带个加热夹套。沉积腔表面经过耐腐蚀处理，能够适应氯化物和氟化物等前驱体化学品的强腐蚀，这是其他厂家不具备的。样品载物台升降为气动式控制，具有自锁功能。样品沉积过程中可很稳定地保持体系环境(例如湿度对于一些氮化物沉积就比较敏感),有效地减少环境波动对沉积效果的影响。系统配置高级独立的软件，具有自锁和保护功能，并不是用简单的Labview软件来控制(Labview软件容易被客户修改，对设备使用来说具有危险性)。

6．系统还配备*的触摸屏显示器，方便操作,已经被一些的半导体厂商认可并使用(例如IBM) 。我们有30年的研发和使用经验，在ALD领域拥有100多项的。

产品规格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8)，300mm (12)可选配
工作温度: 100—400摄氏度 (500摄氏度可选)
真空腔体尺寸: 250, 320, 400mm
反应腔体: 具有大,中,小三种
反应腔体材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驱体源: 2--4种，可为固体/液体/气体
样品载台: 气动式移动
 
ALD的应用
半导体领域：
晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。
纳米技术领域：
中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米管，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。