产品介绍：

KJ-1200T-S60LK3-3FZ型CVD管式炉由KJ-T1200管式炉+真空系统+供气系统组成 ，温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。

KJ-T1200管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。

应用范围：

KJ-1200T-S60LK3-3FZ型CVD炉是一种特殊的CVD系统，广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

规格参数：

可选配件：

质量混气系统1台、双旋机械泵1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、炉塞1对、高温手套1副、说明书1份