日本岩崎IWATSU 半导体曲线图示仪 IGBT测试系统CS-3000系列  CS-3100 3200 3300

岩崎IWATSU CS-3000

IWATSU岩崎（岩通计测） CS-3000大功率晶体管特性图示仪，

分为CS-3100/3200/3300zui大峰值电压：3000V，zui大峰值电流：1000 A，

支持漏电流（LEAKAGE）测试模式（光标分辨率：1 pA），测量IGBT、MOSFET\\VDMOS、

三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数。

zui大峰值电压：3000 V（高电压模式，适合所有型号） zui大峰值电流：1000 A（CS-3300高电流模式） 所有型号均支持漏电流（LEAKAGE）测试模式（光标分辨率：1 pA） USB接口（保存屏幕图像和设置条件） LAN接口（远程控制）

产品系列

用户友好的测量屏幕

图形配置选择	晶体管I-V特性示例（Trace模式）
高电流脉冲模式（波模式）下的Vbe和Ic波形

岩崎IWATSU CS-3000 脉冲宽度/测量点 - 脉冲宽度可在50 - 400 μs范围内变化。 可以测量点（分辨率为10 μs/步进）。 数据点上限 每次跟踪可以20 - 1000个点。 阶梯信号发生器 电流模式 幅度范围：50 nA - 200 mA，共21个范围，步进为1-2-5大电流：±2A/偏移：步进幅度设置的±10倍 电压模式 幅度范围：50 mV - 2 V，共6个范围，步进为1-2-5 大电压：±40V/偏移：步进幅度设置的±10倍 步进率 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下为50 Hz或60 Hz） 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下为50 Hz或60 Hz）脉冲：脉冲变化范围为80ms - 1000 ms。（低频率受大峰值功耗设置限制。）  脉冲步进 脉冲宽度可在50μs - 400 μs范围内变化（分辨率为10μs）。 步进数 0 - 20步 AUX输出   范围 关闭，-40V - +40 V，按100mV分辨率变化 垂直轴 * 集电极电流 范围 高电压模式：1 μA/div - 2 A/div，共20个范围，步进为1-2-5。 *- 高电流模式：100 mA/div - 50 A/div，共9个范围，步进为1-2-5。 高电流模式：100 mA/div - 100 A/div，共10个范围，步进为1-2-5。* 精度 2%读数 + 0.05 × VERT/div设置值或更低（下面的内部环路校正错误必须加至左边的公式中。）*3 kV范围：6 μA、300 V 范围：1 μA, 30 V 范围：0.5 μA（仅针对各电压范围面积的10%或以上。） * 发射极电流（泄漏） 范围 1 nA/div - 2 mA/div，共20个范围，步进为1-2-5 * 精度 2%读数+ 0.05 × VERT/div设置值 + 1 nA 或更低 水平轴   集电极电压 范围 高电压模式：50 mV/div - 500 V/div，共13个范围，步进为1-2-5 - 高电流模式：50 mV/div - 5 V/div，共7个范围，切换步进为1-2-5 ，精度 2%读数 + 0.05 × HORIZ/div 设置值或更高 ，基极/发射极电压 范围 50 mV/div - 5 V/div，共7个范围，步进为1-2-5 ，精度 2%读数 + 0.05 × HORIZ/div 设置值或更高