详情

背刺三星台积电绕过2nm:直奔1.4nm去了

来源:快科技2022/5/23 10:01:17132
导读
台积电的3nm依然延续的是FinFET(鳍式场效应)晶体管结构,而非三星那套难度更高的GAA晶体管。然而,台积电明显道行更深,知道当前制程节点命名混乱,谁的良率高显然更能占得先机。
  台积电已经多次明确,3nm将在下半年规模投产。
 
  不过,台积电的3nm依然延续的是FinFET(鳍式场效应)晶体管结构,而非三星那套难度更高的GAA晶体管。然而,台积电明显道行更深,知道当前制程节点命名混乱,谁的良率高显然更能占得先机。
 
  而接下来,台积电似乎不打算糊弄了,甚至要绕过2nm,直奔1.4mm。
 
  BK报道称,台积电3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发工作。
 
  对手三星在去年的代工会议上曾预期,2025年量产2nm,没想到又一次被台积电“背刺”了。
 
  至于同样雄心勃勃的Intel,则打算2024年下半年生产1.8nm工艺产品。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”,再度拉开序幕了。
 
  原标题:背刺三星 台积电绕过2nm:直奔1.4nm去了

版权与免责声明:凡本网注明“来源:兴旺宝”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-兴旺宝合法拥有版 权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:兴旺宝”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。 本网转载并注明自其它来源(非兴旺宝)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

展开全部
热门评论