SB-402双面曝光机

SB-402双面曝光机

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具体成交价以合同协议为准
2023-09-23 13:35:43
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三河建华高科有限责任公司

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产品简介

该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等领域的双面对准和曝光

详细介绍

该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等领域的双面对准和曝光。

主要技术特点

对准工作台

高精度薄型精密双层三维对准工作台,采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构,保证了工作台的直线性和旋转精度。

机械手机构

机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构,具有高的定位精度和重复精度。

上版架系统

上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨,驱动采用高分辨率的数显微分头,从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。

对准观察系统

双光路结构的卧式分离视场显微镜,可以获取高清晰的图像同时兼容CCD成像显示。

曝光系统

上、下两套独立的紫外光曝光系统,采用*的结构方案,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。

主要技术指标

 

性能名称

技术指标

适用基片尺寸

Max. φ4″(φ100mm)

适用掩模版尺寸

Max. 5″(125mm×125mm)

上下掩模版对准行程

X向

±4mm

Y向

±4mm

θ向

±7.5°

上下掩模版对准精度

±3um

掩模版对基片对准行程

X向

±4mm

Y向

±4mm

θ向

±5°

掩模对基片对准精度

±3μm(以单一面两标记形位检测)

显微镜

物镜放大率

6.5×

目镜放大率

10×

总放大倍数

65×

物镜分离距离

26~70mm

曝光光源

365nm,250W进口汞灯

曝光面积

φ110mm

曝光分辨率

3μm(正胶)5μm(负胶)

曝光不均匀性

±3%

曝光时间

0~999s

曝光光强

15mW/cm2

 

关键词:
曝光
模版
对准
精度
结构
系统
采用
4mm
分离
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99330 [{"ID":"708600","CompanyID":"72281","Title":"玻璃碎片曝光机","Picture":"mt0002/3/20140311/635301518896379964940.jpg","PictureDomain":"img63","UpdateTime":"2024/2/11 7:58:22","CreateTime":"2024/2/11 7:58:22","ClassName":"技术交流","rn":"3"}]