一、HMDS烘箱技术参数：

电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2%

输入功率：2000W

控温范围：RT+20℃-160℃

温度分辨率：0.1℃

温度波动度：±0.5℃

达到真空度：-100kPa（1torr）

工作室尺寸（mm）：450*450*450（可定做）

有可自动吸取添加HMDS功能，智能型的程式设定，一键完成作业。

二、HMDS烘箱预处理系统特点：

1、预处理性能更好，由于是在经过数次的氮气置换再进行的HMDS处理，所以不会有尘埃的干扰，再者，由于该系统是将"去水烘烤"和HMDS处理放在同一道工艺，同一个容器中进行，晶片在容器里先经过100℃-160℃的去水烘烤，再接着进行HMDS处理，不需要从容器里传出，而接触到大气，晶片吸收水分子的机会大大降低，所以有着更好的处理效果。

2、处理更加均匀,由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上，所以有液态涂布不可比拟更好的均匀性。

3、效率高,液态涂布是单片操作，而本系统一次可以处理多达4盒的晶片。

4、更加节省药液,实践证明，用液态HMDS涂布单片所用的药液比用本系统处理4盒晶片所用药液还多；

5、 更加环保和安全，HMDS是有毒化学药品，人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、呼吸道等，由于整个过程是在密闭的环境下完成的，所以不会有人接触到药液及其蒸汽，也就更加安全，它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机，所以也不会对环境造成污染。    

三、HMDS烘箱的原理：      

    HMDS预处理系统通过对烘箱预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。

四、HMDS烘箱预处理系统的必要性：

    在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。