1200℃实验室滑轨炉PECVD系统设备通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择

1200℃实验室滑轨炉PECVD系统设备

产品用途：
高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
产品参数

• 炉体结构：双层炉壳间配有风冷系统，有效保证外壳表面温；
• 炉子底部装有一对滑轨，移动平稳
• 炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却
• 炉盖可开启，可以实时观察加热的物料
• 电源电压：AC220V 50/60Hz；
• 功率：4KW
• 炉管材质：高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小
• 炉管尺寸：Φ60*1250mm
• 加热系统：加热元件采用优质合金丝0Cr27Al7Mo2，表面负荷高、经久耐用
• 加热区长度：270mm
• 恒温区长度：100mm
• 工作温度：≤1150℃
• 高温度：1200℃
• 升温速率：10℃/min
• 极限真空：6.0×10-5Pa
• 工作真空：7.6×10-4Pa
• 温控系统：温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能、30段升降温程序
• 测温元件：N型热电偶
• 恒温精度：±1℃
• 混气系统：四路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制、内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀、管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套、每路气体进气管路配有不锈钢针阀、通过控制面板上的旋钮来调节气体流量
• 流量规格：0~200sccm
• 流量精度：±1.5%
• 高真空真空系统：采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa
• 复合真空计，配置电阻规+电离规
• 抽速：110L/S
• 冷却：风冷
• 射频电源系统输出功率:0-300W
• 功率稳定度：±0.1%
• 射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005%
• 大反向功率:120W
• 射频电源电子输出端口:UHF
• 冷却:风冷
• 电源:AC187-253V 50/60Hz
• 可选配件：混气系统,中、高真空系统，各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪。