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IC封装可靠性测试-冷热冲击试验箱概述
1.近年来随着我国半导体制造业的不断壮大,对IC芯片的制备工艺及品质要求更加精密,同步配套的TC设备逐渐国产化,在此机会下,东莞中科测试设备有限公司研制出与100万级无尘车间制备工艺匹配的可靠性试验设备(冷热冲击试验箱)。
2.控制系统:中英文菜单式人机对话操作方式,有开机自检功能、温度线性校正、自动停机、系统预约定时启动功能;实现工业自动化,带数据交互功能,能与客户主机链接实现远程监控,了解设备与试验运行状态,可以通过任何移动终端监控。
3.低温储存室:箱内温度状态由风道中的加热器、蒸发器以及风机的工作状态决定,制冷剂经过膨胀阀节流进入低温储存室内蒸发器后,吸收低温储存室内热量并气化,使低温储存室温度降低;气化后的工质被压缩机吸入并压缩成高温、高压气体进入冷凝器中被冷凝成液体,再经过滤器,后通过膨胀阀节流后,重新又进入低温储存室内蒸发器中吸热并气化然后再被压缩机吸入压缩。如此往复循环工作,使低温储存室降到设置的温度要求。
4.高温储存室:*控制器从感温组件检测实时信号,与设定温度信号进行比较,得到比较信号,由仪表PID逻辑电路输出信号控制固态继电器的导通或关断的时间比例调节加热器输出功率大小,从而达到自动控温的目的。
5.冲击温度测试室:由仪表自动控制高低温气阀,在低温或高温储存室之间切换,分别与高温箱或低温箱形成闭路空气循环系统,迅速达到试验的目标温度。
IC封装可靠性测试-冷热冲击试验箱技术新能
1.温度冲击范围:-40℃~+150℃;-55℃~+150℃;-65℃~+150℃。(高温可定制:+250℃)
2.高低温区温度范围:
A.高温蓄能区:室温~+155℃。(定制性:室温~+215℃)
B.低温蓄能区:室温~-55℃;室温~-70℃;室温~-80℃。
3.测试区温度范围:
A.高温冲击温度范围:+50℃~+150℃。(定制型:+50℃~+200℃)
B.低温冲击温度范围:-10℃~-40℃;-10℃~-55℃;-10℃~-65℃。
C.温度波动度:±0.5℃。
D.温度均匀度:±2.0℃。
4.高低温测试区温度恢复和转换时间:≤5分钟。(可定制温变速率为:10℃/min;15℃/min;20℃/min;25℃/min,线性与非线性温变)
5.试验测试温度范围:-40℃~+85℃;-40℃~+120℃;-55℃~+125℃。(可根据试验要求选择温度范围)
6.试验测试方式:高低温冲击试验、冷热冲击试验、高低温恒定试验、高低温交变冲击试验。
7.试品重量:8 KG(可订制其他规格)。
8.使用电源:AC3∮5W 380V±10% ;50HZ。
9.重量约:480KG。
10.在无试验负荷、无层架情况下稳定20分钟后测定的性能。
11.温度均匀度定义为:实验机几何中心点处(计量单位空间9点测温法)。
12.设备制造标准:GB/T10586-2006,GB/T10592-1989。
13.设备检定标准:GB/T5170.2-1996,GB/T5170.5-1996。
14.设备的型号和规格选择如下:
型 号 内箱尺寸(mm) 外箱尺寸(mm)
ZK-TS -80L W500×H600×D500 W850×H1680×D1250
ZK-TS-120L W500×H750×D600 W850×H1880×D1350
ZK-TS-150L W500×H600×D500 W850×H1680×D1250
ZK-TS-225L W500×H750×D600 W850×H1880×D1350
ZK-TS-408L W600×H850×D800 W900×H1980×D1550
ZK-TS-800L W800×H1000×D1000 W1100×H2150×D1650
ZK-TS-1000L W1000×H1000×D1000 W1300×H2150×D1650
可按需求尺寸非标定制......
冷热冲击试验箱测试执行与满足标准
1.GB2423.2-2008(IEC68-2-2)试验B:高温试验方法。
2.GJB150.3A-2009(MIL-STD-810D)高温试验方法。
3.GB/T2423.1-1989 低温试验方法。
4.GB/T2423.2-1989 高温试验方法。
5.GB/T2423.22-1989 温度变化试验。
6.GJB150.5-86 温度冲击试验。
7.GJB360.7-87 温度冲击试验。
8.GJB367.2-87 405 温度冲击试验。
9.国军标 GJB150.3-2009/GJB150.4-2009。