Ecopia HMS-7000光霍尔效应测试仪

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体材料电学特性*的工具。

光学模块

 
HMS-7000光霍尔效应测试仪软件界面

 通过HMS-7000主机及霍尔效应测试仪软件控制光源及马达自动完成测试，并绘制出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数随光源强度变化的曲线如下：

 
HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面
 
不同温度I-V/I-R曲线      载流子浓度随温度变化曲线
 
迁移率随温度变化曲线     电阻率随温度变化曲线
 
霍尔系数随温度变化曲线      电导率随温度变化曲线

产品规格：
1、 主要实验参数
输入电流：1nA ~ 20mA；
电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；
载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；
迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；
磁场强度：0.51T；
样品测量板：弹簧样品板；
样品尺寸：5mmX5mm  ~ 20mmX20mm；
高温腔温度：常温~573K (773K)；
低温腔温度：80K-350K(选配)；
磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；
2、 软件操作环境 
XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下
3、 实验结果
       - 体载流子浓度、表面载流子浓度；
       - 迁移率；
       - 霍尔系数；
       - 电阻率、方块电阻；
       - 磁致电阻；
       - 电阻的纵横比率；
4、 仪器尺寸和重量
主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；
5、 测量材料
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；