这款自动离子减薄仪是为TEM减薄制样和XTEM减薄制备而设计的进口离子束减薄系统,ion mills,离子研磨仪,旨在快速制备的高品质TEM / XTEM超薄样品，它具有具有市场较宽能量范围100eV-16keV。
该自动离子减薄仪使用超高能量惰性气体离子源进行快速削磨，并使用的低能离子枪进行较终抛光和清洁。
自动离子减薄仪特点
易于使用和自动化操作
具有市场较宽能量范围100 eV-16 keV
加载锁定系统，用于快速交换样品
LN2或Peltier冷却选项
在线监控和支持
自动子减薄仪“双功能”
离子源的宽能量范围允许非常高的削磨速率（900μm/ h）和同种仪器的温和清洁功能。
易于使用和自动化操作
易于使用的图形界面提供完整的计算机控制。 所有削磨参数可以以任意数量的步进存储或预编程。 离子离子减薄仪这种*自动化功能允许以较少的用户干预生产高质量的样品。
样品冷却
为了满足所有可能的需求，SEMPrep2提供了两种不同的冷却方式：
液氮冷却在离子轰击期间减少了过多的样品加热。 因此，可以制备热敏材料，而不会使内部结构失稳。
Peltier 冷却是一种舒适的防过热保护，并将样品保持在室温。
自动离子减薄仪快速和自动样品交换
负载锁定和电动样品架驱动系统提供了快速简单的样品交换，尽可能少的用户交互。 负载锁定可保护工作室中的真空水平，为重型用户节省大量时间和精力。
在线监控和支持
提供了在线的软件扩展，可通过互联网实现即时错误检测和程序消除。
综述
自动离子减薄仪旨在极快地制备高质量TEM / XTEM样品。该离子离子减薄仪使用超高能量惰性气体离子源进行快速削磨，并使用的低能离子枪进行较终抛光和清洁。
 
包括两个独立控制的离子源：一个聚焦的高能量或超高能离子枪和一个聚焦的低能离子枪。
高和超高能量离子源：高能量和超高能量离子源在市场上提供较高的削磨率。运行高达16 keV的离子枪特别设计用于非常低削磨速率材料的TEM样品制备。
低能量离子源：离子源的构造允许在整个工作范围内达到高束流密度。极低能量惰性气体离子束保证了表面损伤和离子束诱导的非晶化的较小化。
离子源控制：包括加速电压和束电流在内的所有离子枪参数都由数字反馈回路自动控制，但在样品制备过程中，它们始终可以手动更换。离子源参数的初始值自动或手动设置，并由计算机连续监测和显示。
 自动离子减薄仪自动操作
图形界面提供全面的计算机控制，易于使用。包括电极电压，工作气体流量，样品运动/倾斜以及进程定时和穿孔检测的其他参数的所有削磨参数可以以任意数量的步骤存储或预编程。 IV7的全自动化功能允许以较少的用户干预生产高质量的样品。
 自动离子减薄仪应用
开发新材料或新的样品制备方法，并且由于其*的研磨速率，因此还建议用于研究非常低的溅射速率的材料，如金刚石，蓝宝石等。其*的生产损伤 - 通过低能量离子轰击产生无伪影的样品，提供了在技术科学和材料研究各个领域研究合成和天然材料中的真实纳米结构的*机会。
可选液氮冷却
在线监测和支持
提供了在线的软件扩展，可通过互联网实现即时错误检测和问题消除。
 
规格
离子源
高能离子源：
离子能量：高达10000 eV，可连续调节
离子电流密度：较大100mA / cm2
光束电流：140μA
光束直径：200-500μm（FWHM）
铣削速率：在10000 eV的c-Si上为180μm/ h，光束入射角为30º
超高能离子源：
离子能量：高达16000 eV，可连续调节
离子电流密度：> 150 mA / cm2
光束电流：250μA
光束直径：100 - 300μm（FWHM）
铣削速率：在8000c / h的c-Si，16000 eV和30º角度的光束入射
低能离子源：
离子能量：100 - 2000 eV，可连续调节
离子电流密度：较大10 mA / cm2
光束电流：7 - 80μA
光束直径：750 - 1200 m（FWHM）
在2000 eV离子能量下，c-Si上的铣削速率为28μm/ h，束入射角为30°
 
样品位移台
研磨角度：0° - 30°，电子可调0.1°增量
计算机控制的平面内样品旋转和振荡
（±10° - ±60°角度范围，以10°增量电子调节）
可接受的TEM样品的厚度范围（30 - 200μm）
 
真空系统
Pfeiffer真空系统带无油隔膜和涡轮分子泵，配有紧凑型全范围Pirani / Penning真空计
 
气体供应系统
99.999％纯度的氩气为1.3 - 1.7 bar压力
压力调节器，用于带电子出口压力监测的惰性气体服务
通过电动针阀进行高精度工作控制气体流量
 
成像系统
CMOS相机图像，用于*视觉控制和削磨监控/终止
高分辨率（5 M像素）彩色CMOS相机
手动变焦视频镜头为50 - 400×放大范围
 
电脑控制
内置工业级PC
易于使用的图形界面和图像分析模块
用户独立的离子源设置，包括电动针阀的气流调节
用于自动设置机械和电子削磨参数的预编程削磨配方（也可以进行手动调整）
自动样品加载
自动终止：由图像分析模块支持的削磨过程的光学终端，用于检测样品穿孔或监测表面形貌的演变
 
电源要求
100 - 120 V / 4.0 A / 60 Hz或220 - 240 V / 2.0 A / 50 Hz - 单相