怎样子做才能提高安捷伦ICP-MS系列的电离效率了，我想大家应该都很关心这个问题。接下来我们就告诉大家四种方法来提高电离效率。

    方法一：

    1.采用频率为27.12MHz的发生器来提高电离效率

       ICP采用27.12MHz频率作为振源通过两级功率放大，就可得到27.12MHz，2.0Kw的输出信号来匹配网络和同轴电缆传输到负载线圈上从而使得发生器频率稳定度高，耦合效率好，易于自动控制功率输出，始终保证等离子体的功率恒定不变。因此27.12MHz的频率适合生产ICP也易于控制气体和液体燃料以及雾化气和助燃空气的流量从而能更好的控制电离效率。

    方法二：

     2. 采用小的进样流量(0.4mL/min)来提高电离效率

        普通的ICPMS进样量是1-1.5ml/min,然而对于灵敏度*的安捷伦来说进样量不能太大，因为样品在待测元素浓度只有1ppt时，采用少的进样量0.4ml/min时，也相当于每秒有1千万个原子进入仪器，但是终能到达检测器的离子数只有10-1000个之间，如果采用的进样量是1-1.5ml/min，那么将不止每秒有1千万个原子进入仪器，而终能到达检测器的离子数确还是只有10-1000个之间。所以说用加大进样量来提高电离效率,其结果只能造成仪器被污染得更厉害,基体带进来的干扰也越多，所以对于安捷伦来说只能采用小的进样量(0.4mL/min)来提高电离效率才能得到的结果。

     方法三：

      3.采用半导体控温装置来提高电离效率

        采用半导体控温装置来控制雾化室的温度从而达到除去大液滴，阻止大液滴进入炬管，确保只有小颗粒的气溶胶可以进入等离子体。如果不采用半导体控温装置来控制雾化室的温度此时大液滴则不能碰撞到雾化室的室壁，也不能由废液管排出。而是会有大量的大粒径雾滴进入等离子体干扰了等离子体的稳定性和离子化的效率。所以采用半导体控温装置来控制雾化室的温度,不仅提高了等离子体的稳定性和离子化的效率，进而提高了电离效率。

     方法四：

     4.采用标准2.5mm的炬管来提高电离效率

        炬管的一端深入工作线圈中，工作线圈可以诱导产生用于样品离子化的等离子体为防止等离子体的高温将炬管融化(等离子体的温度可以达到10,000K)，系统向炬管的外层石英管中引入冷却气(又称等离子体气)，其流量达15L/min。冷却气/等离子体气的主要作用是将等离子体推离炬管内壁，避免炬管融化，同时也为等离子体的形成提供了支持气。在炬管第二层石英管中引入的是辅助气，其流量大约为1L/min，其作用是将等离子体推离中心样品引入管的末端，同时维持等离子体“火焰”。 载气从炬管的中心管路进入炬管，同时将雾化室内形成的气溶胶带入炬管。载气流路(包括雾化器中引入的载气和混合气)的流量要足够大，保证可以在等离子体中心吹出一个“孔”，以将样品引入到等离子体中，实现样品的离子化；但载气流量又不能太大，以免降低气溶胶解离和离子化效率，并避免降低等离子体温度。所以使用标准的2.5mm炬管，载气流速为1.2L/min，能达到电离效率的zui高值。