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场效应管/MOS管内阻测试仪主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选。
　　1、采用高精度AD，满足测量精度，而高速微处理器和电子开关，使测量工作迅速、、宁静。采用*脉冲测量法，可以提供10A~zui大7以上的测试电流，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
　　2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量插座栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
　　3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用zui大电流测量小容量管子，也不会损害被测管。
　　4、您可以按需要设定分选参数范围。可设定的有：开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量，蜂鸣器会报警，并且哪个参数超限，会闪烁提示，用户可以不大理会符合标准的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。
5、使用简单，不需要专业知识。

二、场效应管/MOS管内阻测试仪主要指标：
　　1、测量VMOS管可同时显示：
　　　　通态电阻Ron 1~999mΩ （超过999 mΩ时，自动转为9.99Ω挡）
　　　　跨导Gfs 0~99.9S
　　　　开启电压Ut 1~7.5V
　　　　极间电容Cir 0.1~9.9 （np）
　　2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
　　　　a、Cir 1% nP精度；
　　　　b、Ut 1%V 精度；
　　　　c、测量Ron时的： Ids（max A）,Vds（min V）；
d、以及测量Ggs时：Ids（A）,Vds（V）,Vgs（V）；
3、10位LED显示。
　　4、采用工业开关电源，可以在160V~230V 正常工作。

三、机箱：
采用铝合金冷拉型板为框架，支脚可调。工作台有220和3P插座。面板设有容量选择，以及220/3P选择。

四、场效应管/MOS管内阻测试仪测量实例： （测试条件可以按辅助键得到）
例1：IRF3205
Ron 5m欧 测试条件：Ids=74.6A,Vds=0.44V
Cir 3.14nP 测试条件：Vgs=0,Vds=10V
Ut 2.91V 测试条件：Vds=10V,Ids=1mA
Gfs 27.9S 测试条件：Ids=35.，Vds=6.44V，Vgs=5.15V