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微波射频在片测量是指使用探针直接测量晶圆（Wafer）或裸芯片（Chip）的微波射频参数。相比于常规的键合/封装后的测量，微波射频在片测量消除了封装及键合丝引入的寄生参数，可以更准确的反应被测芯片的射频特性。微波射频在片测量广泛应用于器件建模、芯片检验等领域。

随着5G、汽车雷达等技术的发展，在片测试也进入了亚毫米波/太赫兹频段，对在片测试技术提出了更高的挑战。

在片测量系统：

微波射频在片测量系统一般由射频/微波测量仪器和探针台及附件组成。 

微波射频在片测量系统中，探针台和探针用于芯片测量端口与射频测量仪器端口（同轴或波导）之间的适配；微波射频测量仪器完成各项所需的射频测量。

射频探针：

射频探针的本质为适配器，将芯片测量接口转为同轴或波导端口。常见的射频探针有GSG型、GS型、GSSG型等。射频探针的主要参数有高工作频率、探针针尖距（Pitch）等。

目前，同轴接口的射频探针频率可达110 GHz，波导接口的射频探针频率高达1.1 THz，有一些型号的探针可以选配BiasTee。

校准

微波射频在片测试的校准主要是指S参数校准，可以通过使用校准片完成校准。一般的校准片提供开路（Open）、短路（Short）、匹配（Match）、直通（Through）和直线（Line）标准件，可完成TOSM校准或TRL校准。

可以利用厂家提供的标准件参数，一般厂家提供的校准件参数包括开路电容、短路电感、负载阻抗及寄生电感、直通/延迟线电长度等，根据这些数据，可以在矢量网络分析仪中编辑校准件，完成校准。

需要注意的是，不同厂家的探针和校准片一般不能混用。

典型的在片测试：

• THz矢量网络测试（R&S®ZVA/ZNA矢量网络分析仪及扩频单元）：

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THz多端口矢量网络测试（R&S®ZVT/ZNA矢量网络分析仪及扩频单元）：

频谱/矢量信号分析（R&S®FSW信号与频谱分析仪及R&S®SMW矢量信号源）：

在片负载牵引测试（R&S®ZVA/ZNA矢量网络分析仪等）

有源/无源器件建模（R&S®ZVA/ZNA矢量网络分析仪等）：