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　　根据国家巿场监督管理总局下达的国家计量技术规范制修订计划，全国光学计量技术委员会已完成《硅光电倍增器参数》国家计量技术规范的征求意见稿。为了使国家计量技术规范能广泛适用和更具操作性，特向全国有关单位征求意见和建议。
 

　　SiPM 实质上是在硅片上以并联形成集成的成千上万个工作在盖格模式下的探测器。相较于传统光电倍增管，优势在于其具有更大的增益、更高的光子探测效率、更宽的动态范围和更快的响应速度，特别是其增益对磁场不敏感。
 

　　SiPM 的应用效果依赖其性能，如何表征 SiPM 不仅是 SiPM 应用者更是 SiPM 研发人员必须面对的课题。全面表征 SiPM 的性能可引入的光电参量很多。电学性能主要体现在其 IV 特性，包括击穿电压、过偏压、增益、光学串话率、后脉冲率、恢复时间等；光学性能主要包括暗计数、光子探测效率、动态范围、单光子时间分辨率等。从应用和研发角度讲，电学性能参数主要体现 SiPM 的工作状态，而才更能体现品质。因此本规范将校准的对象聚焦在 SiPM 的光学性能参数上。
 

　　本规范为初次制定。JJF 1001《通用计量术语及定义》、JJF 1032《光学辐射计量名词术语及定义》、JJF 1059.1《测量不确定评定与表示》和 JJF 1071《国家计量校准规范编写规则》共同构成支撑本规范编订的基础性系列规范。
 

　　依据 JJF 1071《国家计量校准规范编写规则》，本规范主要内容包括：范围；术语；概述；计量特性；校准条件；外观要求；校准方法；校准结果；复校时间间隔以及附录A、B、C、D等内容。
 

　　校准环境条件：
 

　　校准环境温度23℃±5℃；相对湿度<70%。校准环境应备置遮光设施，防止其它强光源直射校准设备。
 

　　测量标准及其他设备：
 

　　用于硅光电倍增器参数校准的设备包括：已知响应度的光电倍增管(PMT)或硅光电池(PIN)、三窗积分球、发光二极管、激光器、发光二极管(LED)、信号发生器、微电流计、高速示波器、稳压电源、高压电源。
 

　　校准结果：
 

　　校准结果应在校准证书上反映。校准证书应至少包括以下信息：a)标题：“校准证书”；b)实验室名称和地址；c)进行校准的地点(如果与实验室的地址不同)；d)证书的唯一性标识(如编号)，每页及总页数的标识；e)客户的名称和地址；f) 被校对象的描述和明确标识；g)进行校准的日期，如果与校准结果的有效性和应用有关时，应说明被校对象的接收日期；h)如果与校准结果的有效性应用有关时，应对被校样品的抽样程序进行说明；i) 校准所依据的技术规范的标识，包括名称及代号；j) 本次校准所用测量标准的溯源性及有效性说明；k)校准环境的描述；l) 校准结果及其测量不确定度的说明；m) 对校准规范的偏离的说明；n)校准证书或校准报告签发人的签名、职务或等效标识；o)校准结果仅对被校准对象有效的声明；未经实验室书面批准，不得部分复制证书的声明。
 

　　复校时间间隔：
 

　　硅光电倍增器的建议复校时间间隔为二年。由于器件保持量值稳定性的状况不但与器件自身的品质相关，也与器件的保存和使用条件以及使用者的水平等诸多因素紧密关联，因此，送校单位可根据实际使用情况自主决定硅光电倍增器的复校时间间隔。
 

　　本规范适用于宽波段辐照计的校准。
 

　　相关资料下载：SiPM.pdf