详情

三维垂直场效应晶体管问世可用来生产高密度数据存储器件

来源:化工仪器网2022/6/16 18:12:56125
导读
存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储管理要实现的目的是为用户提供方便、安全和充分大的存储空间。
  存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储管理要实现的目的是为用户提供方便、安全和充分大的存储空间。随着近年来的发展, 存储器的变化日新月异, 各种新型存储器进入市场, 普及针对新型存储器的维护方法已经迫在眉睫。
 
  在存储器的尺寸、容量和可负担性方面,消费类闪存驱动器已取得了巨大的进步,但新的机器学习和大数据应用程序正继续推动对创新的需求。此外,支持云的移动设备和未来的物联网节点也需要节能且体积更小的内存。而当前的闪存技术却需要相对较大的电流来读取或写入数据。
 
  反铁电场效应晶体管(FET) 可以非易失性方式存储1和0,这便意味着它不需要一直供电。东京大学工业科学研究所科学家开发了一种基于铁电和FET的概念验证3D堆叠存储单元,该晶体管具有原子层沉积的氧化物半导体通道,其垂直设备结构还增加了信息密度并降低了操作能源需求。此外,他们还发现通过使用反铁电体代替铁电体,只需要很小的净电荷,就能够提高写入的效率。
 
  经验证,该项器件在至少1000个周期内都可保持稳定,并且研究人员还使用第一原理计算机模拟绘制了最稳定的表面状态。新方法或将极大地改善非易失性存储器,催生新的更小、更环保的数据存储器,有助于实现下一代消费电子产品。
 
  (资料来源:科技日报)

版权与免责声明:凡本网注明“来源:兴旺宝”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-兴旺宝合法拥有版 权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:兴旺宝”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。 本网转载并注明自其它来源(非兴旺宝)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

展开全部
热门评论