详情

Ga2O3深紫外图像传感器研究取得进展

来源：中国科学院2022/7/8 13:48:20114

导读

中国科学院微电子研究所重点实验室与中国科学技术大学合作，首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现了成像。

　　紫外成像在航天与医疗等领域颇具应用价值。目前，高性能、低成本的紫外成像芯片难以获得。同时，基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等宽禁带半导体的紫外探测器难以与Si基读出电路实现大规模集成，这限制了高性能紫外成像芯片的制造与应用。

　　氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片，它还可以用作O2化学探测器。

　　研究采用CMOS工艺兼容的IGZO TFT驱动Ga2O3紫外探测器，实现单片集成32×32紫外成像阵列。IGZO TFT器件表现出极低的漏电和驱动能力以及在正负偏压下良好的稳定性。Ga2O3探测器具有极低的噪声，对紫外光表现出极高的灵敏度，可实现对低至1pW/cm2的紫外光进行探测。

　　通过外围电路进行信号读取和处理，该图像传感器实现了在弱光下的成像应用。该成果为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展、高密度图像传感器集成与应用提供了新的思路和解决方法。

　　相关研究成果(First Demonstration of High-Sensitivity (NEP<1fW·Hz-1/2) Back-Illuminated Active-Matrix Deep UV Image Sensor by Monolithic Integration of Ga2O3 Photodetectors and Oxide Thin-Film-Transistors)入选2022 VLSI。

图1.单片集成1T1PD图像传感器结构图

图2.该工作与其他已报道的深紫外探测器性能对比

图3.单片集成Ga2O3紫外成像系统

图4.基于Ga2O3 PD/IGZO TFT图像传感器在不同强度深紫外光照下的成像情况

上一篇：麻省理工学院的量子传感器可检测任何频率的电磁信号

下一篇：盘点丨2022上半年这些领域检测技术“上新”

版权与免责声明：凡本网注明“来源：兴旺宝”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-兴旺宝合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：兴旺宝”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。本网转载并注明自其它来源（非兴旺宝）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。

展开全部

热门评论