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能生产3nm!中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML

来源:快科技2025/3/27 8:51:1919194
导读
中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计,由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm的激光,在通过两条不同的光学路径进行波长转换。
  3月25日消息,据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。
 
  据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放出193nm波长的光子,然后以高能量的短脉冲形式发射,输出功率100-120W,频率8k-9kHz,再通过光学系统调整,用于光刻设备。
 
  中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计,由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm的激光,在通过两条不同的光学路径进行波长转换。
 
  一路采用四次谐波转换(FHG),将1030nm激光转换为258nm,输出功率1.2W。
 
  另路径采用光学参数放大(OPA),将1030nm激光转换为1553nm,输出功率700mW。
 
  之后,转换后的两路激光通过串级硼酸锂(LBO)晶体混合,生成193nm波长的激光光束。
 
  最终获得的激光平均功率为70mW,频率为6kHz,线宽低于880MHz,半峰全宽(FWHM)小于0.11pm(皮米,千分之一纳米),光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。
 
  基于此,甚至可用于3nm的工艺节点。
 
  这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积,减少对于稀有气体的依赖,并大大降低能耗。
 
  相关技术已经在国际光电工程学会(SPIE)的上公布。
 
  不过相信大家也看出来了,这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经和商用标准相差无几,但是输出功率、频率都还低得多。
 
  对比ASML的技术,频率赢达到了约2/3,但输出功率只有0.7%的水平,因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。

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