Aspen III 基于具有接地法拉第屏蔽的专有 ICP 源设计，为半导体制造商提供经过生产验证且具有成本效益的剥离和蚀刻解决方案。Aspen III 的平台设计可处理 200 毫米和 300 毫米晶圆，并支持特殊晶圆处理，包括翘曲和半透明晶圆。的工艺室架构可以满足业内的设备制造商跨多个技术节点的技术要求。

产品特点：

• 平台
  • 200 mm / 300 mm 桥接工具
  • 玻璃/石英/半透明晶圆处理
  • 翘曲 (> 5 mm) 晶圆处理
  • 双晶圆室设计，独立晶圆控制
  • 单或双工艺室选项
  • 高速机器人
  • 真空负载锁
  • 安装了 500 多个系统
• ICP HT  / Strip 处理室
  • 专有法拉第屏蔽ICP源
  • 还原和氟化学能力
  • 耗材成本低
• LiteEtch 工艺室
  • 高浓度氟工艺的各向同性蚀刻
  • 耐氟室设计
•  eHighlands 蚀刻和剥离工艺室
  • 偏置能力
  • 低温（10°C 至 80°C）能力
  • 低压（5 mT 至 300 mT）能力

过程：

• 块状光刻胶条
• 离子注入后光刻胶去除
• 表面处理
• 表面残留物去除
• 聚酰亚胺返修/处理
• 光刻返工
• 表面钝化
• SiN / SiC 势垒刻蚀
• 抗蚀剂/BARC 回蚀

应用：

• 存储设备制造
• 逻辑器件制造
• LED制造
• CMOS传感器制造
• 功率集成电路制造
• MEMS制造
• 传感器制造
• 晶圆级封装
• 光电制造
• 模拟/混合信号设备制造