项目

描述

二次电子分辨率

3.0 nm(加速电压=30 kV，WD=5 mm高真空模式)
7.0 nm(加速电压=3 kV，WD=5 mm高真空模式)

背散射电子分辨率

4.0 nm(加速电压=30 kV，WD=5 mm低真空模式)
10.0 nm(加速电压=5 kV，WD=5 mm高真空模式)

放大倍率

5 - 300,000倍(底片倍率＊5）
7 - 800,000倍(显示器显示倍率＊6）

加速电压

0.3～30kV

可变压力范围

6～650Pa

大样品尺寸

直径 200 mm

样品台

X

0～100mm

Y

0～50mm

Z

5～65mm

R

360°

T

-20～90°

可观察区域

直径 130 mm(旋转并用)

大样品高度

80mm（WD＝10mm）

马达台

5轴标配

电子光学系统

电子枪

预对中的钨灯丝

物镜光阑

4孔可动光阑

探检测器

埃弗哈特 索恩利 二次电子探测器
高灵敏度半导体背散射电子检测器

EDX分析 WD

10 mm(取出角35°)

图像显示

操作系统

Windows®7(有更改，恕不另行通知)

图像显示模式

全屏模式(1,280 × 960 像素)
小屏模式(800 × 600 像素)
双图像显示(800 × 600 像素)
四屏幕显示(640 × 480像素)
信号混合模式