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日立高新离子研磨装置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）具有断面加工和平面研磨功能的混合仪器！
日立高新离子研磨装置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的混合模式带有两种研磨配置：
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面以下结构高分辨成像。
平面研磨：将样品表面均匀研磨5平方毫米，从不同角度有选择地研磨，以便突出样品的表面特性。
HITACHI Ion Milling System IM4000 的高通量能提高加工效率：与之前的E-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间。（zui大加工率：硅元素为300微米/小时--加工时间减少了66%。
HITACHI Ion Milling System IM4000 的可拆卸样品台装置：为便于样品设置和定义研磨边缘，可将样品台装置拆卸。
特点
混合模式：两种研磨配置
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面高分辨观察
平面研磨：不同角度有选择地，大面积，均匀地研磨5 mm的平面，以突显样品的表面特性
高效：提高加工效率，与之前的E-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间(zui大加工速度：硅材质为300 μm/h - 加工时间减少了66%)
可拆卸式样品台：为便于样品设置和边缘研磨，样品台设计为可拆卸型
规格
| 项目 | 描述 | |
| 断面加工台 | 平面研磨台 | |
| 气源 | 氩气(Ar) | |
| 加速电压 | 0-6Kv | |
| zui大研磨速率﹡¹﹡²（硅材质） | 约300μm/h﹡¹﹡² | 约20μm/h﹡³（点） 约2μm/h﹡⁴（面） |
| zui大样品尺寸 | 20（W）×12(D)×7(H)mm | Φ50×25(H)mm |
| 样品移动范围 | X±7mm,Y0－＋3mm | X0－＋5mm |
| 旋转角度 | - | 1r/m，25r/m |
| 摆动角度 | ±15°，±30°，±40° | ±60°，±90° |
| 倾斜 | - | 0-90° |
| 气体流量控制系统 | 流量调节器 | |
| 排气系统 | 涡轮分子泵(33L/S)+机械泵(50Hz时，135L/min,60Hz时，162L/min) | |
| 仪器外观尺寸 | 616（W）×705(D)×312(H)mm | |
| 仪器重量 | 主机48kg+机械泵28Kg | |
| 可选附件 | 光学显微镜（用于观测研磨中的样品） | |
﹡¹：此研磨速率是对研磨板边缘处的硅材质的材料研磨至100μm粒度时所获得的zui大深度值 ﹡²：此研磨速率是对硅材质的材料进行研磨两小时后获得的平均值 ﹡³：照射角度60°偏心值4mm ﹡⁴:照射角度0°偏心值0mm | ||
