高精度晶圆热板，恒温加热台技术指标

加热面积尺寸：160*160mm,220*220mm,230*520mm，可定制

温度分辨率 ：0.1℃   

温度波动度：≤±0.5℃        

温度均匀性：≤±0.5℃、1%℃

电源输入：AC220V 10A         

加热功率：800~3500W

控温范围：室温--200、300/400/500℃   

热板表面: 硬质阳极氧化铝、陶瓷等制成

可选配功能：

支撑pin材料

边缘支撑pin

N2吹扫，无氧化烘烤

烘焙距离可调模组

真空腔体

智能型控制系统

高精度晶圆热板，恒温加热台技术指标用途

  用于固化光刻胶、晶圆烘烤、光刻工艺软烘（前烘）、硬烘（坚膜）、掩膜版烘烤、柔性电路板烘烤、固化环氧塑脂等，可用于显微镜下使用以及其它需要高精度控温的场合等。

  适应于半导体硅片，载玻片，晶片，基片，ITO导电玻璃等工艺，制版的表面涂覆后，薄膜烘干，固化，电路模块的涂敷烧结和考核。热板温度稳定度高，重复性好。可在工矿企业、科研、教育等单位作生产、科研、教学之用。

智能型HMDS真空系统的作用

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用

智能型HMDS真空系统技术参数

Ø 材质：外箱采用304不锈钢或优质冷轧板喷塑，内箱采用316L科研级不锈钢

Ø 温度范围：RT+10-250℃

Ø 温度分辨率：0.1℃

Ø 温度波动度：≤±0.5

Ø 真空度：≤133pa（1torr）

Ø 洁净度：class 100，设备采用无尘材料，适用100级光刻间净化环境

Ø 电源及总功率：AC 220V±10% / 50HZ /2.5KW    

Ø 控制仪表：人机界面

Ø 搁板层数：2层

Ø HMDS控制：可控制HMDS药液的添加量

Ø 真空泵：旋片式油泵或无油泵

Ø 保护装置：超温保护，漏电保护，过热保护等