日本DNK科研曝光机MA-4000光刻机-塔玛萨崎电子（苏州）有限公司手机版

产品简介

简单介绍：主要特长采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送

详细介绍

详情介绍：

光刻机介绍

曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″

光源超高压水银灯：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高压水银灯：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯：3.5kW Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光装置MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要规格

		MA-4000
Wafer尺寸		Ø2～4″	Ø4～6″
掩膜尺寸		□5″	□7″
光源		超高压水银灯：500W or 1kW
外观尺寸及重量	本体尺寸	W1340 x D1430 x H1900mm
外观尺寸及重量	本体重量	1120kg
选购项		生产管理系统(D-Net)、背面对位、○□基板兼用

※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽