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硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底