二氧化硅基底石墨烯

1*1cm单层二氧化硅基底石墨烯

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-06-05 10:20:03
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上海巨纳科技有限公司

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产品简介

二氧化硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

详细介绍

二氧化硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

二氧化硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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