二氧化硅基底石墨烯

1*1cm单层二氧化硅基底石墨烯

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-06-05 10:20:03
15
产品属性
关闭
上海巨纳科技有限公司

上海巨纳科技有限公司

初级会员1
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

二氧化硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

详细介绍

二氧化硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

二氧化硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

上一篇:Boc-D-*盐酸盐说明书 下一篇:煤飞灰中重金属成分分析标准物质的样品制备方法
提示

请选择您要拨打的电话: