真空等离子增强化学气相沉积PECVD系统PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。    PECVD小型滑动开启式管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。

主要用途：

设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、装饰等领域。

产品描述：

该款PECVD系统, 可以分为低温、中温、高温三种加热形式，加热元件可分为电阻丝（1200℃以下使用）、硅碳棒（1400℃以下使用）、硅钼棒（1700℃以下使用）等；

PECVD系统主要由供气系统、加热系统、射频电源、真空系统等组成；

1）加热系统可以分单温区、双温区、三温区、多温区等；

2）真空系统可分为低真空和高真空，高极限真空可以达到10-4Pa（分子泵组）；

3）射频电源借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中；

4）供气系统是流量调节用户可选择质量流量计或浮子流量计，混气路数用户可选2路、3路、4路、5路、6路等相混合（主要根据客户工艺要求定制）；

PECVD是借助于光放电等方法产生等离子体，光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。

炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动（主要适用于1200℃以下加装滑轨）。可以达到快速升降温的目的，为取得快加热速率，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品区。可在样品加热后移动炉子到另一端，实现快速降温功能。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

真空等离子增强化学气相沉积PECVD系统主要功能和特点：

1、 1200℃炉盖可打开，可以随时观察加热的物料，并能迅速降温，满足材料骤冷骤热的实验需要。

2、 炉膛采用*真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维制成，保温效果好，耐用节能， 不掉粉、反射率高、温场均衡，等特点。

3、1）、加热元件采用高电阻优质合金丝0Cr27Al7Mo2，高发热温度可达1200℃。

     2）、加热元件采用优质硅碳棒，高发热温度可达1400℃。

     3）、加热元件采用优质硅钼棒，高发热温度可达1700℃。

4、通过射频电源实现辉光放电等方法，产生等离子体。

5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性。

6、炉管采用高纯石英管，高温下化学稳定性强，热膨胀系数极小，能承受骤冷骤热的温度；

7、采用KF快速法兰密封，仅需要一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人为操作导致漏气的可能；减少了因安装法兰而造成加热管损坏的可能；

8、预留了真空、气路快速接口，可配合我司真空系统、混气系统使用；

9、我司可配预留485转换接口，可通过我部的软件，与计算机互联，可实现单台或者多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能；可安装无纸记录装置，实现数据的存储、输出；

技术参数：