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一、产品应用
高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。
二、产品特点
高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;
2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝,温场均匀,能耗低;
4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
6、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;
7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;
8、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。
三、技术参数
型号 | HTF1200-2.5/20-2F-LV | HTF1200-5/20-4F-HV | HTF1200-6/40-2M-LV | HTF1200-8/40-4M-HV |
设计温度(℃) | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 |
控温精度(℃) | ±1 | ±1 | ±1 | ±1 |
加热区直径(mm) | 25 | 50 | 60 | 80 |
加热区长度(mm) | 200 | 200 | 400 | 400 |
加热管长度(mm) | 450 | 450 | 1000 | 1000 |
恒温区长度(mm) | 80 | 80 | 150 | 150 |
额定电压(V) | 220 | 220 | 220 | 220 |
额定功率(KVA) | 1.2 | 1.2 | 3 | 3 |
真空机组 | HTF-101 | HTF-103 | HTF-101 | HTF-103 |
供气系统 | HTF-2F | HTF-4F | HTF-2M | HTF-4M |