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产品简介

CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。

详细介绍

技术指标：

设备型号	NT-CVD(G)-08/50/1
温区zui高温度	1650℃；(zui长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃ (zui长恒温时间：≥100小时)
加热有效容积	Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm
炉管实际尺寸	Φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管）
炉膛材料	氧化铝纤维制品
控制温区点数	1个，1支B分度热电偶
设备温场温差	±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)
加热元件	优质硅钼棒
zui大加热功率	12Kw
保温功率	5kw
zui大升温速率	3℃∽10℃/min;
zui大降温速率	3℃∽7℃/min
温度均匀性	±3℃(有效范围：Φ72×250mm)
气路配件材料	气路配件材料，端头不锈钢发兰密封，一路气体采用浮子流量计控制，所有管道和阀门采用不锈钢元件
极限真空	≤10Pa（常温） ,一级机械泵（配电磁阀）。
压升率	≤5Pa/h

1000℃时可抽真空，能通氮气保护

外型参考尺寸 1250（L）×1650（H）×650（w）mm

输入动力电源单相电源，50HZ ，220V±10%；10KW

炉体表面温升 ≤45℃