仪器按照单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。
    仪器采用了电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点

测量范围

电阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可扩展)；  
 方块电阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可扩展)； 
 电导率：10^-5～10⁵ s/cm； 
 电阻：10^-5～10⁵ Ω； 

恒流源电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调

数字电压表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
 分辨力：10μV；
 输入阻抗：>1000MΩ；
 精度：±0.1% ；
 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；

基本指标

间距：1±0.01mm；
 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； 
 机械游移率：≤0.3%；
 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；
 探针压力：5～16 牛顿(总力)；