IXFH88N30P全新现货IXYS代理艾赛斯
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产品简介

特点
??标准封装
??快速内在二极管
??额定雪崩
??(ON)和低RDS资历组别
??封装电感低
优势
??高功率密度
??易于安装
??节省空间
应用

详细介绍

IXFH88N30P全新现货IXYS代理IXFH88N30P功率MOSFET

 

来源: | 时间:2011年06月11日

 

 供应全系列IXYS艾赛斯  王 
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IXFH88N30P全新现货IXYS代理IXFH88N30P功率MOSFET
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IXFH88N30P全新现货IXYS代理IXFH88N30P功率MOSFET 批号

IXFH88N30P全新现货IXYS代理IXFH88N30P功率MOSFET 全线代理

IXFH88N30P全新现货IXYS代理IXFH88N30P功率MOSFET 封装TO - 247

部分编号:IXFH88N30P 
描述:极地™HiPerFETs(150V的至300V)与减少的Rds(上) 
配置:单 
包装样式号:TO - 247

DS99216F(11/09) 
VDSS = 300V的 
ID25 = 88A条 
的RDS(on)≤40mΩ 
社群*信任≤200ns 
特点 
??标准封装 
??快速内在二极管 
??额定雪崩 
??(ON)和低RDS资历组别 
??封装电感低 
优势 
??高功率密度 
??易于安装 
??节省空间 
应用 
?? 
的DC - DC Coverters 
?? 
电池充电器 
??开关模式和谐振模式 
电源供应器 
??直流切碎机 
??交流和直流电动机驱动器 
?? 
不间断电源 
?? 
高速电源开关 
应用
 

 

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