表面光电压是固体表面的光生伏*应，是光致电子跃迁的结果。表面光电压技术是一种研究半导体特征参数的ji jia途径，这种方法是通过对材料光致表面电压的改变进行分析来获得相关信息的。
       早在 1876 年 ,W. G. Adams就发现了这一现象,然而直到1948年才将这一效应作为光谱检测技术应用于半导体材料的特征参数和表面特性研究上 ,这种光谱技术称为技术(Sur face Photov oltaic Technique,简称SPV)或谱(Sur facePhotov oltage Spectroscopy ,简称SPS) 。
       技术是一种研究半导体特征参数的ji jia途径 ,这种方法是通过对材料光致表面电压的改变进行分析来获得相关信息的。1970 年 ,表面光伏研究获得重大突破 ,美国麻省理工学院 G ates教授的研究小组在用低于禁带宽度能量的光照射 CdS表面时 ,历史性的di yi次获得入射光波长与的谱图 ,以此来确定表面态的能级 ,从而形成了谱这一新的研究测试手段。

主要应用：
       半导体材料的光生电压性能的测试分析，可开展光催化等方面的机理研究，应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究，研究光生电荷的性质，如：光生电荷扩散方向；解析光生电荷属性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。

技术参数
1) 光电压谱测量：zui小电压>10nV；功能材料的光电性质，可开展光催化等方面的机理研究;
2) 光电流谱测量：zui小电流>10 pA；研究功能材料光电流性质，可应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究;
3) 光伏相位谱分析：相检测范围：-180°至+180°；可用于研究光生电荷的性质，如：光生电荷扩散方向；解析光生电荷属性等;
4) 、光电流、相位谱分析的光谱波长范围：200-1600nm，可以全光谱连续扫描，光谱分辨率0.1nm，波长准确度±0.1nm;
5) 可以实现任意定波长下，不同强度光照下的、光电流、相位谱分析，实现光谱分析的多元化;
6) 光路设计一体化、所有光路均在暗室中或封闭光路中进行，无外界杂光干扰;