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技术规格:
- 温度:1200摄氏度;
- 升温速率:150摄氏度/秒;
- 降温速度:200摄氏度/分钟 (1000摄氏度-->400摄氏度);
- 温控均匀性:≤ 1.5%设定温度;
- 加热方式:红外卤素灯,顶部及底部加热;
- 灯管数量及功率:18支/20千瓦;
- 腔体冷却:水冷方式;
- 衬底冷却:氮气吹扫;
- 工艺气路:MFC控制,多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等);
- 主机尺寸及重量:505mm x 504mm x 420mm (W x D x H),约55Kg;
RTP-100快速退火炉
仪器特点:
- 真空快速退火炉,有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa);
- 可在不同气氛环境下使用,如惰性气体、氧气、氢氮混合气等;
- 控制方式:SIMATIC, SPS人机界面控制,7英寸触摸屏;
- 可存储50个程序,每个程序多分为50段控制;
- 全自动智能控制,包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置;
- 优异的温控均匀性,的工艺重现性;
- 台式设计;
应用领域:
- 离子注入/接触退火;
- 快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);
- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用;
- SiAu, SiAl, SiMo合金化;
- 低介电材料;
- 晶体化,致密化;
- 太阳能电池片键合;
等等...