四探针电阻率测试仪的主要技术指标：

1.  四探针电阻率测试仪

四探针法—本方法快速且不需要样品有规则的横截面。本测试方法可用于不规则形状的样品，只要它有适于探针接触的平面区域即可。如本标准所述，本测试方法只适用于厚度和任一探针尖到zui近边缘的距离都至少为探针间距的四倍的样品。对于厚度大于探针间距一倍而小于四倍的圆形横截面样品这样特定的场合，用本方法进行测量是可行的，测量中要求使用的近似几何修正可使测量精度提高。

四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是参考按照硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及标准设计制造，用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。主机提供精度为0.1%的恒流源，使测量电流高度稳定。，仪器配置了本公司的产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。

2.      四探针电阻率/方阻测试仪设备技术要求及性能指标：

3.  四探针电阻率测试仪测量范围：电阻率0.01～199.9欧姆·厘米，zui小分辨率为0.01欧姆·厘米

方块电阻0.1～1999欧姆/□，zui小分辨率为0.1欧姆/□

2.1     可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

2.2     可准确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜

2.3     可测量的半导体尺寸：直径≥8㎜

2.4     测量方式：平面测量。

2.5     电压表：

A.量程0~199.9 mV

B. 灵敏度：100μv

C.基本误差0.2%（±2个字）

D.输入阻抗﹥1000MΩ

E. 3 1/2位数字显示，0～1999

2.6     恒流源：

A.电流输出：直流电流0.1～10 mA连续可调，由交流电源供给

B.量程： 1 mA，10 mA两档

 C.恒流源精度：各档均≤±0.1%

2.7     四探针测试探头B级

A.探头间距1.59㎜    

B.探针机械游率：±0.5%

C.探针直径0.8㎜，探针针尖压痕直径30-50μm，探针合力8±1N  

D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于10⁹欧姆。

2.8   四探针电阻率测试仪

2.9     测试架

JCKDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200（mm）。

2.10  精度

电器精度：1-100欧姆≤0.4 %

整机测量精度：1-100欧姆·厘米≤5%

固定点测量重复性：1-10欧姆·厘米≤3%

电流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤25