H94-31型4″双面光刻机

H94-31型4″双面光刻机

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-05-09 17:20:02
17
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苏州中芯启恒科学仪器有限公司

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产品简介

主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。
工作方式
本机采用版—版对准双面同时曝光方式,亦可用于单面曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多面反射式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。

详细介绍

主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。

工作方式
本机采用版—版对准双面同时曝光方式,亦可用于单面曝光。

主要构成
主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多面反射式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。

主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下,厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.结构*
Z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构,真空吸版,防粘片机构。
3.操作简便
X\Y移动、Q转、Z轴升降采用手动方式;
吸版、反吹采用按钮方式,操作、调试、维护、修理都非常简便。
4.可靠性高
采用进口电磁阀、按钮、定时器;采用*的气动系统、真空管路系统和精密的零件加工,使本机具有非常高的可靠性。

主要技术指标 
◆曝光类型:单面对准双面曝光
◆曝光面积:≥φ120mm
◆曝光不均匀性:≤±6%
◆曝光强度:≥5mw/cm2(365nm、404nm、435nm的组合紫外光)
◆曝光分辨率:≤2μm
◆曝光模式:双面同时曝光
◆对准精度:上版与下版的对准精度≤5μm
◆对准范围:X:±5mm Y:±5mm
◆旋转范围:Q向旋转调节≥±5°
◆zui大升降:≥20mm
◆密着曝光方式:密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光;

◆显微系统:双视场CCD系统,显微镜45X~300X连续变倍(物镜1.1X~7.5X),显微镜扫
描范围:X:±40mm, Y:±35mm;双物镜距离可调范围:11mm~100 mm,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;
◆掩模版尺寸:3″×3″、4″×4″、5″×5″
◆基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″
◆基片厚度:≤5 mm
◆曝光灯功率:直流2×200W
◆曝光定时:0~999.9秒可调
◆电源:单相AC 220V 50Hz 功耗≤1kW
◆洁净压缩空气压力:≥0.4Mpa
◆真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa
◆尺寸: 985×680×1450 (L×W×H)mm;
◆重量:~160kg
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