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PSEL制冷型InGaAs短波红外相机
PSEL公司使用的InGaAs阵列短波红外相机，具有极低低暗电流和低缺陷像素数。得益于高效的冷却和稳定的偏置基线，PSEL的短波红外InGaAs相机可以在SWIR光谱中进行精确的计量测量。Camera Link和千兆以太网视觉兼容的界面接口使相机集成到客户现有系统变得很容易。具有可见光扩展的640 x 512 VGA SWIR芯片以及320 x 256分辨率的qVGA两种选择。
有特殊要求项目或冷却选项的OEM客户自定义版本可用于集成到客户特定的仪器/系统中。
制冷型InGaAs短波红外相机主要特征：
主要应用：
技术参数：
型号 | PSEL VGA 15μm | PSEL qVGA 30μm |
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光谱响应范围 | 900-1700nm | ||
帧频 | 174fps(在全VGA分辨率下） 570fps(在1/4 VGA分辨率下） 7200fps( 640x4分辨率或光谱模式） | 110 fps 在全幅qVGA 分辨率 |
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芯片尺寸 | 9.6mmx7.68mm |
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像素分辨率 | 640x512像素 | 320x256像素 |
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单像元大小 | 15um x 15um | 30um x 30um |
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满阱容量 | 20k-23k e-(高增益模式） 80k-105ke-(中增益模式） 1000K-1500k e-(低增益模式） | 110k-150k e- （高增益模式） 1500k-2200k e- (低增益模式) |
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读出噪声 | 28-38e-(高增益模式） 50-77e-(中增益模式） 500-800e-(低增益模式） | 110-200e-(高增益模式） 1000-1590e-(低增益模式） |
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制冷温度 | -25°C (风冷）; -40°C (水冷） | -20°C (风冷）; -40°C (水冷） |
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暗电流 | <0.7fA（风冷）; <0.1fA (水冷） | <8 fA（风冷）; <0.5fA (水冷） |
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A/D | 14-bit 数字化读出，16-bit数字化处理 |
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曝光时间 | 30us - 1 min | 1us-1s |
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QE@ 1500 nm | 80% |
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IC 版显微发光成像—水冷SWIR InGaAs 相机, 20倍物镜，曝光时间30s
MEMS 圆片透射显微红外成像—使用SWIR InGaAs 相机，6x 物镜，曝光时间15ms
