介电常数介质损耗测定仪装置：

2.3.1 平板电容器极片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二种.
2.3.2 平板电容器间距可调范围和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圆筒电容器线性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圆筒电容器可调范围：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 装置插头间距：25mm±0.1mm
2.3.6 装置损耗角正切值:≤2.5×10-4

介电常数介质损耗测定仪主要技术指标：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固体绝缘材料测试频率10kHz～120MHz的tanδ和ε变化的测试。

2.1.2 tanδ和ε测量范围：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε测量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作频率范围：50kHz～50MHz    四位数显，压控振荡器

Q值测量范围：1～1000三位数显，±1Q分辨率

可调电容范围：40～500 pF  ΔC±3pF

电容测量误差：±1%±1pF

Q表残余电感值：约20nH

介电常数介质损耗测定仪工作频率范围是10kHz～120MHz,它能完成工作频率内材料的高频介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

本仪器中测试装置是由平板电容器和测微圆筒线性电容器组成，平板电容器一般用来夹被测样品，配用Q表作为指示仪器。

绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。

同样，由测微圆筒线性电容器的电容量读数变化，通过公式计算得到介电常数。

介电常数介质损耗测定仪特点： 

◎ 本公司创新的自动Q值保持技术，使测Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能对固体绝缘材料在10kHz～120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

◎ 调谐回路残余电感值低至8nH，保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。

◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数：Q值，测试频率，调谐状态等。

◎ Q值量程自动/手动量程控制。

◎ DPLL合成发生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz测试信号。独立信号   源输出口，所以本机又是一台合成信号源。

◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。

介电常数介质损耗测定仪电感器：

按测试频率要求，需要配置不同量的电感器。

例如：在1MHz测试频率时，要配250μH电感器，在50MHz测试频率时，要配0.1μH电感器等。

高频介质样品（选购件）：
在现行高频介质材料检定系统中，检定部门为高频介质损耗测量仪提供的测量标准是高频标准介质样品。

该样品由人工蓝宝石，石英玻璃，氧化铝陶瓷，聚四氟乙烯，环氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm测试样品。用户可按需订购，以保证测试装置的重复性和准确性。

介电常数介质损耗测定仪实验原理:

介电体（又称电介质）zui基本的物理性质是它的介电性，对介电性的研究不但在电介质材料的应用上具有重要意义，而且也是了解电介质的分子结构和激化机理的重要分析手段之一，探索高介电常数的电介质材料，对电子工业元器件的小型化有着重要的意义。介电常数（又称电容率）是反映材料特性的重要参量，电介质极化能力越强，其介电常数就越大。测量介电常数的方法很多，常用的有比较法，替代法，电桥法，谐振法，Q表法，直流测量法和微波测量法等。各种方法各有特点和适用范围，因而要根据材料的性能，样品的形状和尺寸大小及所需测量的频率范围等选择适当的测量方法。

工作特性

   1．Q值测量

  a．Q值测量范围：2～1023；

  b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；

c．标称误差

   2．电感测量范围

3．电容测量

   注：大于直接测量范围的电容测量见使用方法。

   4．信号源频率覆盖范围

  5．Q合格指示预置功能：预置范围：5～1000

   6．Q表正常工作条件

   a. 环境温度：0℃～+40℃；

  b．相对湿度：<80％；

  c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

   7．其他

  a．消耗功率：约25W；

   b．净重：约7kg；

   c.外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。