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日本seric紧凑型太阳光模拟器XI-05A1V1-P
面议日本seric人工太阳照明灯 SERIC XELIOS
面议日本LUCI便携式太阳光检查灯Luci Tesora
面议日本seric小型太阳光光源SERIC XELIOS-iO
面议日本电通产业dentsu图像处理用的环形荧光灯
面议日本电通产业dentsu超高亮度LED透过照明
面议日本nihonika植物斑点荧光灯,用于植物生长
面议日本电通产业dentsu偏振畸变LED照明器
面议日本电通产业dentsu高强度LED照明装置
面议日本林时计HAYASHI体视显微镜用环形LED照明
面议日本林时计HAYASHI机床辅助照明设备光源
面议日本电通产业dentsu体现显微镜用环形荧光灯
面议日本napson非接触式涡流法薄层电阻测量仪NC-10/NC-20
测量目标
半导体/太阳能电池相关材料(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的进样样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)
测量尺寸
3-8英寸〜156 x 156毫米
(可选; 2英寸或12英寸〜210 x 210毫米)
日本napson非接触式涡流法薄层电阻测量仪NC-10/NC-20
测量范围
[电阻] 1m至200Ω・ cm
(*所有探头类型的总量程/厚度500um)
[ 抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总量程)
*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)