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HC037N06L低功耗低内阻60V30A场效应管
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深圳市惠新晨电子有限公司
型号:HC018N10L参数:100V39A ,类型:N沟道结MOS场效应管,内阻22毫欧, 低结电容1000pF, 封装:贴片(TO-252)
HC018N10L是一款采用SGT工艺结MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
HC018N10L可以应用于LED驱动电源,电子打火、驱动电机、工控电源等产品,高性价比
HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款结MOS管,低开启电压 低内阻,特别适合应用于电弧打火,其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射
备注:惠新晨电子支持根据您的要求定制您自己的LOGO及定制白板出货
电子点烟器100V39A场效应管 SGT工艺MOS管
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工厂规模:
可靠性测试及品质把控:
封装及测试流程:
公司库存实力展示:
使用优势
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双型器件。
有些场效应管的源和漏可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,大电压等,大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、大电压、大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:
开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源间电压保持稳定且可靠导通。
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。
驱动电路结构简单可靠、损耗小。
根据情况施加隔离。
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。
有些场效应管的源和漏可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
场效应管分成结型和缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。
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