深圳市惠新晨电子有限公司

型号:HC018N10L参数：100V39A ，类型：N沟道结MOS场效应管，内阻22毫欧， 低结电容1000pF， 封装：贴片（TO-252）

HC018N10L是一款采用SGT工艺结MOS管，低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC018N10L可以应用于LED驱动电源，电子打火、驱动电机、工控电源等产品，高性价比

HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款结MOS管，低开启电压 低内阻，特别适合应用于电弧打火，其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射

备注：惠新晨电子支持根据您的要求定制您自己的LOGO及定制白板出货

车灯驱动电源100V39A耐压MOS管

车灯驱动电源100V39A耐压MOS管

工厂规模：

可靠性测试及品质把控：

封装及测试流程：

公司库存实力展示：

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

使用优势

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双型器件。

有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、大电压、大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源间电压保持稳定且可靠导通。

关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

驱动电路结构简单可靠、损耗小。

根据情况施加隔离。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。

有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

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