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HC037N06L低功耗低内阻60V30A场效应管
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型号:HC037N06LS参数:60V8A ,类型:N沟道场效应管,内阻34mR,低结电容655pF 封装:贴片(SOP-8),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
HC037N06LS优势替代替代CJQ4438,替代HY1306S
深圳市惠新晨电子有限公司
深圳市宝安区西乡街道宝源路1053号资信达大厦
深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越,
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