有效的太赫兹 (THz) 辐射源对于各种科学和技术应用非常重要。重要的关键因素是大带宽和高太赫兹电场幅度。这通常意味着较大的发射极面积，并且在传统概念中需要高偏置电压（数百伏）以实现必要的偏置场强，通常在 kV/cm 范围内。Tera-SED 的主要优势是大有效面积和低偏置电压要求的组合。

Tera-SED 是一种平面大面积基于 GaAs 的光电导发射器，用于脉冲生成宽带太赫兹辐射。 它具有新颖的叉指式电极 MSM 结构，允许在单个电极之间具有 kV/cmbias 场的大活性区域。只需要低外部偏置电压，无需脉冲高压电源。其灵活的可扩展设备技术使 Tera-SED 成为有效率且多功能的太赫兹发射器。

Tera-SED 不需要外部冷却。它连接到适合 1 英寸光学安装座的金属支架。易用性和轻松对齐是关键资产。

Tera-SED 有两种不同的版本：10x10 mm2 可用区域用于放大 fs-laser 系统（脉冲能量高达 300 μJ，从 ~10 μJ 饱和）和 3x3 mm2 可用区域适合与 fs-laser 一起使用振荡器。

• 大面积太赫兹发射器
• 低外部偏置电压
• 无需外部冷却
• 叉指设计

Tera-SED3

Tera-SED10