封装InGaAs光电二极管（PD），针对高输入光功率和输出（max）电流线性进行了优化。该设备设计用于需要高动态范围、低噪声系数和高RF增益的光纤链路上的RF。内部部件采用焊接和激光焊接，确保在环境温度变化的情况下实现更大的可靠性和性能稳定性。为了确保更大的射频输出平面度，光电二极管具有50欧姆的片上终端和直流耦合输出。

• 高响应度
• 高的光功率处
• 高线性
• 50Ω片上阻抗匹配
• 封装内去耦电容器
• 输出端无需偏置T
• 激光焊接组件
• 密封
• XLMD MSA封装兼容

产地：美国

光电二极管电压：-0.1...8 V

光学输出功率：max.80 mW

输出功率损坏阈值：275 mW（5.5V偏置）

200 mW（7.5V偏置）

ESD输出引脚：-250...250 V

光纤弯曲半径：10 mm

波长范围：1500...1580 nm

响应性：0.8...0.85 A/W

偏振相关灵敏度（PDS）：0.2...0.3 dB

射频带宽：min.20 dB

暗电流：20...50 nA

PD反向偏置：3...7.5 V

光学饱和功率：min.18 dBm

光回波损耗：min.-27 dB

输出反射系数：min.-10 dB

射频输出端接：50Ω

工作温度：-40...+85°C

储存温度：-55...+95°C

工作湿度：0...90%RH

需要高增益、高动态范围和低噪声系数的射频光纤互连

恶劣的环境