ADGM1121是一种宽带双极双掷（DPDT）开关，采用Analog Devices的微机电系统（MEMS）开关技术制造。这项技术实现了一种小尺寸、宽射频带宽、高线性和低插入损耗的开关，其工作频率低至0 Hz/DC，是满足各种射频和精密设备切换需求的理想解决方案。

集成驱动器芯片产生高电压以静电致动开关，该开关可以由并行接口和串行外围接口（SPI）控制。所有开关都是可独立控制的。

该器件封装在一个24引线、5毫米×4毫米×1毫米陆栅阵列（LGA）封装中。为确保ADGM1121的运行，请参阅数据表的“关键运行要求”部分。

ADGM1121的导通电阻（RON）性能受部件间变化、通道间变化、周期驱动、导通后的稳定时间、偏置电压和温度变化的影响。

• 直流至18 GHz频率范围
• 高达64 Gbps的高比特率功能
• 集成3.3 V驱动器，通过并行接口和SPI实现简单控制
• 节省空间的集成无源，包括去耦和分流电阻器
• 小型5毫米×4毫米×1毫米，24铅塑料包装

• 型号：ADGM1121
• 产地：美国
• 高输入IIP3:73 dBm（典型）
• 高射频功率处理：33 dBm（max）
• 导通电阻：1.9Ω（典型值）
• 高直流电流处理：200 mA
• 高开关循环次数：1亿次循环（min）
• 快速切换时间：200μs TON（典型）
• 温度范围：−40°C至+85°C

-插入损耗低：

• 8 GHz时0.5 dB（典型值）
• 16 GHz时1.0 dB（典型值）

• ATE负载和探针板
• 直流带高速环回测试
• 高速SerDes、PICe Gen4/5、USB4、PAM4
• 继电器更换
• 可重构滤波器/衰减器
• 和微波收音机
• 蜂窝基础设施：5G毫米波