K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

K4B4G1646E-BCNK4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

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2022-03-28 15:00:02
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产品简介

K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
IC编号K4B4G1646E-BCNB
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR3 SDRAM
IC代码256MX16 DDR3
脚位/封装FBGA
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.5 V
温度规格Commercial (0°C – 95°C)

详细介绍

K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

I
IC编号K4B4G1646E-BCNB
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR3 SDRAM
IC代码256MX16 DDR3
脚位/封装FBGA
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.5 V
温度规格Commercial (0°C – 95°C)
速度DDR3-2133 (1067MHz @ CL=14, tRCD=14,tRP=14)
标准包装数量1120
标准外箱 
潜在应用INDUSTRIAL COMPUTER/PC DIGITAL BOARD/工业电脑/ PC数位板
SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商
UNKNOWN/未定义
Number Of Words256M
Density4G
PowerNormal Power
Internal Banks8 Banks
Generation6th Generation

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 K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

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