深圳市惠新晨电子有限公司

型号:HC080N10L ,丝印：15N10，参数：15A100V ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR，低结电容525pF，  封装：贴片（SOP-8），低开启电压1.5V，低结电容，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，批量*性好

可用于加湿器、雾化器、香薰机、LED驱动电源、马达驱动电机、POE交换机电源等产品，性价比高

在客户正式量产订货前公司可免费提供样品测试

惠新晨电子的宗旨是提供高品质高性能中低压MOS管产品，质量放在*位，价格第二

POE交换机电源100V15A贴片MOS管17N10

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可靠性测试及品质把控：





封装及测试流程：
 

公司库存实力展示：

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。

有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

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Mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管。或者称是金属—缘体（insulator）—半导体。MOS管的源（source）和漏（drain）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

当MOS电容的栅（Gate）相对于衬底（BACKGATE）正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道（channel）。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。所以MOS是电压控制型器件。

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