深圳市惠新晨电子有限公司

型号:HC706参数：60V7A ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR， 结电容435pF, 封装：贴片（SOP-8），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC706广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品，高性价比

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型号:HC706参数：60V7A ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR， 结电容435pF, 封装：贴片（SOP-8），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC706采用SGT工艺，属于结MOS管，性能比沟槽工艺/平面工艺的MOS管好、温升低，低结电容，低内阻，高性能，高性价比，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低温升

HC706锂电池保护板MOS管 60V7A贴片SOP-8

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HC706用途广泛可用于雾化器、香薰机、加湿器、LED电源、各种马达驱动电机，水磊控制器、于汽车大灯驱动电源，节日灯、圣诞灯、电动牙刷、锂电池保护板、数码产品、马达驱动电机，LED电源，LED汽车大灯电源，LED景观灯电源、LED舞台灯电源、LED车灯电源，LED舞台灯驱动电源，LED舞台灯控制板，LED景观照明驱动电源，LED灯驱动电源,雾化器，香薰机，加湿器、安防电源等产品

公司库存实力展示：

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE下的缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管小省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双型晶体管。

【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。

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