半导体行业用超纯水设备广泛用于生产计算机硬盘，集成电路芯片，半导体，显像管，液晶显示器，线路板等用的纯水，对水的纯度要求较高，对出水电阻率的要求达到上(MΩ.cm)级，用预RO反渗透作为一级处理，再通过混床进行二次处理，产品水符合电子行业用水相关标准。控制部份采用PLC控制，可实现自动起停，加药，及冲洗，自动监测各种运行参数，并可实现运行参数的存储和打印。

　　半导体行业用超纯水设备功能

　　脱盐率高，运行压力低的进口的低卷式复合反渗透膜，产水水质优良，运行成本低廉，使用寿命长。高效率，低噪声。

　　半导体行业用超纯水设备工艺流程

　　1、预处理-反渗透-水箱-阳床-阴床-混合床-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-精制混床-精密过滤器-用水对象。

　　2、预处理-一级反渗透-加药机(PH调节)-中间水箱-第二级反渗透(正电荷反渗膜)-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2或0.5μm精密过滤器-用水对象。

　　3、预处理-二级反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2或0.5μm精密过滤器-用水对象。

　　4、预处理-二级反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-精制混床-0.2或0.5μm精密过滤器-用水对象。

　　水质符合美国ASTM标准，电子部超纯水水质标准(18MΩ*cm，15MΩ*cm，2MΩ*cm和0.5MΩ*cm四级)。

　　半导体行业用超纯水设备工艺参数

　　水质要求：电除盐系统的进水水质要求必须是一级反渗透的出水(电导率为4~20μS/cm)或与之相当的水质。

　　1、一般要求

　　2、系统中CO2问题

　　CO2是一个关键因素。因为分子的CO2可以透过RO膜进人后续系统中的混床或者EDI中的阴离子交换树脂，加重阴离子的交换负荷。因此在一些情况下，系统中通过加NaOH来增加，H值，把CO2转化成碳酸盐和重碳酸盐，有效地在RO膜中去除。

　　3、两级RO出水问题

　　一般认为ROI→ROⅡ→EDI对EDI的出水质量并不一定比ROI -EDI的出水质量好。因为两级RO出水的电导率在1-2μS/cm，进人到浓水、极水的导电特性不够，导致模块电阻上升，电流下降。模块就不能将离子从主进水流(穿过膜)中迁移到浓水中，产品水的水质会受影响。如果RO出水的电导率小于2μS/cm, EDI浓水的进水电导率应设计在10~100μS/cm范围内，使浓水出水电导率达到40~100μS/cm的理想值。浓水出水电导率可从浓水进出口浓度和回收率进行平衡计算，然后确定设计方案。为了优化带有两级RO-EDI的系统，

　　一般采用的措施有：

　　(l)从级RO出水(电导率大于20μS/cm)供给EDI的浓水、极水供水或从第二级RO进水(电导率大于20μS/cm)供给EDI的浓水、极水。

　　(2)在EDI浓水、极水中加盐优质NaCI。

　　质量要求

　　氯化钠(以固体中含量计算)>99.80%。

　　钙和镁(以Ca计算)<0. 05%。

　　铜<0. 5× 10-6。

　　铁<5. 0× 10-6。

　　重金属(以Pb计算)<2. 0 ×10-6。

　　大约维持电导率在10~100μS/cm,以达到出口水电导率为40~l00μS/cm。加盐装置包括计量泵、盐液计量箱和低液位开关。加盐泵应采用变频计量泵，以便在系统运行时由PLC控制剂量。为避免浓水中离子过度积累，需要排放少量浓水。排放掉的浓水由进水补充，控制浓水的电导率在150~600μScm之间(或按照EDI产品要求而定)。

　　4、进水的pH值

　　进水的pH值表示了进水中H+的含量，一般进水控制在5-9.5之间。通常情况下，pH值偏低是由于CO2的溶解引起的。由于是弱电离物质，COZ也是导致水质恶化的因素之一，所以在进EDI系统之前，一般可以安装一个脱碳装置，使得水中的CO2控制在5mg/L以下。水中pH值和CO2存在一定溶解关系，理论上当pH>10时。高pH值有助于去除弱电离子，但是前提是必须在进EDI系统前除去Ca2t+、Mg2+等离子。

　　半导体行业用超纯水设备应用场合

　　1、半导体材料、器件、印刷电路板和集成电路。

　　2、超纯材料和超纯化学试剂。

　　3、实验室和中试车间。

　　4、汽车、家电表面抛光处理。

　　5、其他高科技精微产品 。