— 产品特性 —
01.BL-HE-DH481是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器,这款IC采用了*的斩波稳定技术,
因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
02.在电路设计上,BL-HE-DH481提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,
同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机
制,芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过
霍尔器件磁场强度的大小。
03.如果磁通密度高于“工点”阀值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱动并锁存成与之相对应的状
态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前的状态下。在电池供电应用中,这种设计对于延长工作寿
命提供了支持。
04.BL-HE-DH481的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南极或北极磁场时被锁定在开(BOP)状态,而在
无磁场时锁定在关(B RP )状态。
— 产品介绍 —
— 产品尺寸 —
— 电气特性 —
产品参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 平均值 | 值 | 单位 |
工作电压 | VDD | 工作时 | 2.5 | 3 | 5.5 | V |
电源电流 | IDD | 平均值 | -- | 5 | -- | μA |
输出电流 | Iout | -- | -- | -- | 1 | mA |
饱和压降 | VSAT | IOUT =1mA | -- | -- | 0.4 | V |
唤醒模式时间 | Taw | 工作时 | -- | 170 | -- | μs |
休眠模式时间 | Tsl | 工作时 | -- | 40 | 70 | mS |
— 应用产品 —
— ESD防范 —
01.电子半导体产品对静电比较敏感,所以每次处理半导体产品时要注意静电控制程序。